| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP4189D bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP4189D bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
|
2 / 9 page ![]() STP4189D P Channel Enhancement Mode MOSFET - 12.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. STP4189D 2009. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS -40 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Pulsed Drain Current IDM -50 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -20 A Power Dissipation TA=25℃ TA=70℃ PD 52.5 31 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 50 ℃/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |