| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STC4606 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Stanson Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STC4606 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Stanson Technology |
|
1 / 8 page ![]() STC4606 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 6.5A / -6.9A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STC4606 2008. V1 DESCRIPTION The STC4606 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as notebook computer power management and other battery powered circuits, where high-side switching, low in-line power loss and resistance to transient are needed. PIN CONFIGURATION SOP-8 PART MARKING SOP-8 Y∶Year A∶Date Code FEATURE N-Channel 30V/6.9A, RDS(ON) = 30mΩ(Typ) @VGS = 10V 30V/6.0A, RDS(ON) = 46mΩ @VGS = 4.5V P-Channel -30V/-6.0A, RDS(ON) = 41mΩ(Typ) @VGS = -10V -30V/-5.0A, RDS(ON)= 60mΩ @VGS = - 4.5V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability SOP-8 package |
Số phần tương tự - STC4606 |
|
Mô tả tương tự - STC4606 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |