GDBAS70 datasheet(1/2 Pages) ETL

tên linh kiện	GDBAS70

Giải thích chi tiết về linh kiện	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 2 A

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	ETL [E-Tech Electronics LTD]

Trang chủ	http://e-tech.com.hk

Logo

1 / 2 page

CORPORATION

GDBAS70

Page: 1/2

ISSUED DATE :2005/12/29

REVISED DATE :

G

G D

D B

B A

AS

S 7700

S U R F A C E M O U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E

V O L T A G E 7 0 V, C U R R E N T 7 0 m A

Description

The GDBAS70 is designed for high speed switching applications, circuit protection and voltage clamping.

Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand

held and portable applications where space is limited.

Package Dimensions

Millimeter

REF.

Min.

Max.

REF.

Min.

Max.

A

0.85

1.05

A1

0

0.10

L

0.20

0.40

A2

0.80

1.00

b

0.25

0.40

D

1.15

1.45

c

0.10

0.18

E

1.60

1.80

HE

2.30

2.70

Q1

0.15 BSC.

Absolute Maximum Ratings at TA = 25 ::::

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Operating Junction Temperature

Tj

+125

:

Storage Temperature

Tstg

-65 ~ +125

:

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

70

V

Maximum Average Forward Rectified Current

Io

70

mA

Non- Repetitive Peak Forward Surge Current @ tp 1.0s

IFSM

100

mA

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

R JA

445

: /W

Total Power Dissipation

PD

225

mW

Electrical Characteristics (at TA = 25 : unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Reverse Breakdown Voltage

V(BR)R

70

-

V

IR=10 A

-

410

IF1=1mA

-

750

IF1=10mA

Forward Voltage

VF

-

1000

mV

IF2=15mA

-

100

nA

VR1=50V

Reverse Leakage Current

IR

-

10

uA

VR2=70V

Total Capacitance

CT

-

2.0

pF

VR=0V, f=1MHz

Reverse Recover Time

Trr

-

5.0

ns

IF=IR=10mA, RL=100 , Irr=1mA

Số phần tương tự - GDBAS70

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GTM CORPORATION	GDBAS70	127Kb / 2P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

More results

Mô tả tương tự - GDBAS70

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
E-Tech Electronics LTD	GD103SD	197Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 3 5 0mA
	GDBAS40	171Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 2 A
	GDBAT54	281Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 3 5 0mA
	GEMBR2070-20150CT	321Kb / 2P	S C HO T T K Y B A R R I E R R E C T I F I E R S R E V E R S E VO LTAG E 7 0 V T O 1 5 0 V, C U R R E N T 2 0 A
	GESBL1030-1060CT	332Kb / 2P	S C HO T T K Y B A R R I E R R E C T I F I E R S R E V E R S E VO LTAG E 7 0 V T O 1 5 0 V, C U R R E N T 2 0 A
	GJSBL340-360	420Kb / 2P	S C HO T T K Y B A R R I E R R E C T I F I E R S R E V E R S E VO LTAG E 7 0 V T O 1 5 0 V, C U R R E N T 2 0 A
	GJSBL1030-1060CT	319Kb / 2P	S C HO T T K Y B A R R I E R R E C T I F I E R S R E V E R S E VO LTAG E 7 0 V T O 1 5 0 V, C U R R E N T 2 0 A
	GSBAS40	214Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 2 A
	GSBAS70-A-C-S	175Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 7 0 V, C U R R E N T 7 0mA
	GSBAT54-A-C-S	343Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 3 0 V, C U R R E N T 2 0 0mA

More results

GDBAS70 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - E-Tech Electronics LTD

GDBAS70 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - E-Tech Electronics LTD

Số phần tương tự - GDBAS70

Mô tả tương tự - GDBAS70

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL