GD103SD datasheet(1/2 Pages) ETL

tên linh kiện	GD103SD

Giải thích chi tiết về linh kiện	S U R FA C E MO U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 3 5 0mA

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	ETL [E-Tech Electronics LTD]

Trang chủ	http://e-tech.com.hk

Logo

1 / 2 page

1/2

ISSUED DATE :2005/01/10

REVISED DATE :

G

G D

D 110033S

S D

D

S U R F A C E M O U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E

V O L T A G E 4 0 V, C U R R E N T 3 5 0 m A

Description

The GD103SD is designed for low forward voltage drop, guard ring construction for transient protection, negligible reverse recovery time

and low reverse capacitance.

Package Dimensions

Millimeter

REF.

Min.

Max.

REF.

Min.

Max.

A

0.85

1.05

A1

0

0.10

L

0.20

0.40

A2

0.80

1.00

b

0.25

0.40

D

1.15

1.45

c

0.10

0.18

E

1.60

1.80

HE

2.30

2.70

Q1

0.15 BSC.

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Storage Temperature

Tstg

-65 ~ +125

:

Peak Repetitive Reverse Voltage

VR

40

V

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

28

V

Forward Continuous Current

IF

350

mA

Repetitive Peak Forward Current(t 1.0s)

IFRM

1.5

A

Thermal Resistance Junction to Ambient

R JA

625

: /W

Total Power Dissipation at Ta = 25 :

PD

225

mW

Characteristics at Ta = 25 ::::

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Reverse Breakdown Voltage

V(BR)R

40

-

V

IR=10 A

VF(1)

-

370

mV

IF=20mA

Forward Voltage

VF(2)

-

600

mV

IF=200mA

Reverse Leakage Current

IR

-

5.0

A

VR=30V

Total Capacitance

CT

-

5.0

-

pF

VR=0V, f=1MHz

Reverse Recover Time

Trr

-

10

-

ns

IF=IR=200mA, IR(Rec)=20mA, RL=100 Ł

Số phần tương tự - GD103SD

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GTM CORPORATION	GD103SD	195Kb / 2P	SURFACE MOUNT,SWITCHING DIODE

More results

Mô tả tương tự - GD103SD

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
E-Tech Electronics LTD	GD401SD	166Kb / 2P	S U R F A C E M O U N T , S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E R R I E R D I O D E
	GDBAS40	171Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 2 A
	GDBAS70	133Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 2 A
	GDBAT54	281Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 3 5 0mA
	GMBD1201-A-C-S	298Kb / 3P	S U R FA C E MO U N T, SWI T C H I NG D I O D E V O LTAG E 1 0 0 V, C U R R E N T 2 0 0mA
	GMBD2004-A-C-S	340Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, SWI T C H I NG D I O D E V O LTAG E 1 0 0 V, C U R R E N T 2 0 0mA
	GS401SD	168Kb / 2P	S U R F A C E M O U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O L T A G E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 5 A
	GSBAS40	214Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 4 0 V, C U R R E N T 0 . 2 A
	GSBAS70-A-C-S	175Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C HO T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 7 0 V, C U R R E N T 7 0mA
	GSBAT54-A-C-S	343Kb / 2P	S U R FA C E MO U N T, S C H O T T K Y B A R R I E R D I O D E V O LTAG E 3 0 V, C U R R E N T 2 0 0mA

More results

GD103SD bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - E-Tech Electronics LTD

GD103SD bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - E-Tech Electronics LTD

Số phần tương tự - GD103SD

Mô tả tương tự - GD103SD

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL