IXTR16P60P datasheet(1/5 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXTR16P60P

Giải thích chi tiết về linh kiện	P-Channel Enhancement Mode

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 5 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

DSS

T

J

= 25

°C to 150°C

- 600

V

DGR

T

J

= 25

°C to 150°C, R

GS = 1MΩ

- 600

V

GSS

Continuous

±20

V

GSM

Transient

±30

V

I

D25

T

C = 25°C

- 10

A

I

DM

T

C = 25°C, pulse width limited by TJM

- 48

A

I

AR

T

C = 25°C

- 16

A

E

AS

T

C = 25°C

2.5

J

dV/dt

I

S

≤ I

DM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C

10

V/ns

P

D

T

C = 25°C

190

W

T

J

-55 ... +150

°C

T

JM

150

°C

T

stg

-55 ... +150

°C

T

L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

T

SOLD

Plastic body for 10s

260

°C

V

ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

V~

I

ISOL ≤ 1mA

t = 1s

3000

V~

M

d

Mounting force

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Weight

5

g

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV

DSS

V

GS = 0V, ID = - 250μA

- 600

V

GS(th)

V

DS = VGS, ID = - 250μA

- 2.5

- 4.5

V

I

GSS

V

GS = ±20V, VDS = 0V

±100 nA

I

DSS

V

DS = VDSS

- 25

μA

V

GS = 0V

T

J = 125°C

- 200

μA

R

DS(on)

V

GS = -10V, ID = - 8A, Note 1

790 m

Ω

PolarPTM

Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXTR16P60P

V

DSS

= - 600V

I

D25

= - 10A

R

DS(on) ≤

≤≤≤≤

790m

Ω

Preliminary Technical Information

G = Gate

D = Drain

S = Source

Isolated Tab

ISOPLUS247 (IXTR)

E153432

DS99989(5/08)

Features

Silicon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) substrate

- UL recognized package

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Avalanche rated

The rugged PolarPTM process

Low Q

G

Low Drain-to-Tab capacitance

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Applications

High side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Automatic test equipment

Load-Switch Application

Fuel Injection Systems

Số phần tương tự - IXTR16P60P

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXTR102N65X2	151Kb / 5P	Advance Technical Information
	IXTR120P20T	203Kb / 6P	P-Channel Enhancement Mode
	IXTR140P10T	196Kb / 6P	P-Channel Enhancement Mode
	IXTR170P10P	128Kb / 5P	P-Channel Enhancement Mode
Inchange Semiconductor ...	IXTR170P10P	369Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor

More results

Mô tả tương tự - IXTR16P60P

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Linear Integrated Syste...	3N163-4	18Kb / 2P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Advanced Power Electron...	AP3310H	86Kb / 6P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
	AP4407S	79Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
	AP4435M	85Kb / 6P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
	AP9563H	78Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
	AP9575H	77Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Alpha & Omega Semicondu...	AO6409AL	285Kb / 5P	P-Channel Enhancement Mode
Unisonic Technologies	UT3401Z	307Kb / 5P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
IXYS Corporation	IXTH90P10P	138Kb / 5P	P-Channel Enhancement Mode
Supertex, Inc	VP0808L-G	575Kb / 3P	P-Channel Enhancement-Mode P-Channel Enhancement-Mode

More results

IXTR16P60P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXTR16P60P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXTR16P60P

Mô tả tương tự - IXTR16P60P

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL