| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
K3353 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NEC |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
K3353 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NEC |
|
3 / 4 page ![]() Data Sheet D14130EJ1V0DS00 3 2SK3353 PACKAGE DRAWING (Unit: mm) Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device. 4.8 MAX. 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) 1 2 3 10.6 MAX. 10.0 3.6±0.2 4 1.3±0.2 0.75±0.1 2.54 TYP. 2.54 TYP. 1.3±0.2 0.5±0.2 2.8±0.2 φ 1) TO-220AB (MP-25) 3) TO-220SMD (MP-25Z) 4.8 MAX. 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) 1 2 3 (10) 4 1.3±0.2 0.75±0.3 2.54 TYP. 2.54 TYP. 1.3±0.2 0.5±0.2 2.8±0.2 2) TO-262 (MP-25 Fin Cut) (10) 1.4±0.2 2.54 TYP. 2.54 TYP. 123 4 4.8 MAX. 1.3±0.2 0.5±0.2 (0.5R) (0.8R) 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) 1.0±0.3 EQUIVALENT CIRCUIT Source Body Diode Gate Protection Diode Gate Drain |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |