BD233 datasheet(1/4 Pages) CDIL

tên linh kiện	BD233

Giải thích chi tiết về linh kiện	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	CDIL [Continental Device India Limited]

Trang chủ	http://www.cdilsemi.com

Logo

1 / 4 page

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

BD233

BD234

BD235

BD236

BD237

BD238

NPN

PNP

TO126

Plastic Package

Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

BD233

BD235

BD234

BD236

Collector Base Voltage

VCBO

45

60

V

Collector Emitter Voltage

VCEO

45

60

V

Collector Emitter Voltage (RBE=1KΩ

Ω)

VCER

45

60

V

Emitter Base Voltage

VEBO

5.0

V

Collector Current

IC

2.0

A

Collector Peak Current

ICM

6.0

A

Total Dissipation @ TC=25ºC

PD

25

W

Total Dissipation @ Ta=25ºC

PD

1.25

W

Derate above 25ºC

10

mW/ ºC

Operating and Storage Junction

Temperature Range

Tj, Tstg

ºC

THERMAL CHARACTERISTICS

Junction to Case

Rth (j-c)

5.0

ºC/W

Junction to Ambient in free air

Rth (j-a)

100

ºC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector Cut off Current

ICBO

VCB=45V, IE=0

BD233/234

100

µA

VCB=60V, IE=0

BD235/236

100

µA

VCB=100V, IE=0

BD237/238

100

µA

TC = 150ºC

VCB=45V, IE=0

BD233/234

2.0

mA

VCB=60V, IE=0

BD235/236

2.0

mA

VCB=100V, IE=0

BD237/238

2.0

mA

Emitter Cut off Current

IEBO

VEB=5V, IC=0

1.0

mA

Collector Emitter Sustaining Voltage

*VCEO (sus)

IC=0.1A, IB=0 BD233/234

45

V

BD235/236

60

V

BD237/238

80

V

Collector Emitter Saturation Voltage

*VCE (sat)

IC=1.0A, IB=0.1A

0.6

V

Base Emitter Voltage

*VBE (on)

IC=1.0A, VCE=2V

1.3

V

- 65 to +150

100

80

100

BD238

UNIT

DESCRIPTION

SYMBOL

BD237

B

C

E

Continental Device India Limited

Data Sheet

Page 1 of 4

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

Số phần tương tự - BD233

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Fairchild Semiconductor	BD233	38Kb / 4P	Medium Power Linear and Switching Applications
List of Unclassifed Man...	BD233	1Mb / 2P	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
Weitron Technology	BD233	180Kb / 3P	NPN Epitaxial Planar Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	BD233	58Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	BD233	100Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors

More results

Mô tả tương tự - BD233

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
TRANSYS Electronics Lim...	BD175	68Kb / 2P	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
TRANSYS Electronics Lim...	BD433	70Kb / 3P	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
Continental Device Indi...	MJE13002	153Kb / 4P	NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
	CJD175	283Kb / 3P	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
	MJE15032	286Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
	BD433	136Kb / 4P	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
	BD175	222Kb / 3P	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
	BD136	180Kb / 4P	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
	BD131	147Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
New Jersey Semi-Conduct...	BD131	74Kb / 2P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS

More results

BD233 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Continental Device India Limited

BD233 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Continental Device India Limited

Số phần tương tự - BD233

Mô tả tương tự - BD233

Html Pages

1 2 3 4

bảng dữ liệu tải về

Link URL