| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MP04DD810 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Dynex Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MP04DD810 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Dynex Semiconductor |
|
3 / 9 page ![]() 3/9 www.dynexsemi.com MP04DD810 Note 1: The data given in this datasheet with regard to forward voltage drop is the for the calculation of the power dissipation in the semiconductor elements only. Forward voltage drops measured at the power terminals will be in excess of these figures due to the impedance of the busbars from the terminals to the semiconductor. CHARACTERISTICS Peak reverse current Parameter µC 1600 At T vj = 150˚C - Q S Total stored charge I F = 1000A, dIRR/dt = 3A/µs T case = 150˚C, VR = 100V Symbol I RRM I RR Peak recovery current V TO Threshold voltage. See Note 1. r T Slope resistance. See Note 1. 0.29 m Ω At T vj = 150˚C - 0.7 V -85 A - At V RRM, Tcase = 150 oC- 50 mA Conditions Min. Max. Units |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |