| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MF35 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Dynex Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MF35 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Dynex Semiconductor |
|
2 / 8 page ![]() MF35 2/8 SURGE RATINGS Conditions Max. Units 400 A 800 A 2s I 2t for fusing I 2t Surge (non-repetitive) forward current I FSM Parameter Symbol 10ms half sine; with V RRM ≤ 10V, Tj = 125 oC THERMAL AND MECHANICAL DATA dc Conditions Max. Units oC/W - 0.2 Thermal resistance - case to heatsink R th(c-h) Thermal resistance - junction to case R th(j-c) Mounting torque 3.5Nm with mounting compound Symbol Parameter - 0.8 oC/W Min. t rr 5 Symbol Typ. Units Parameter V FM Forward voltage I RM Peak reverse current Reverse recovery time Q R Recovered charge V TO Threshold voltage r T Slope resistance At T vj = 125 o C - 7.0 m Ω At T vj = 125 o C - 1.2 V -10 µC - 200 ns At V RRM, Tcase = 100 oC- mA At 120A peak, T case = 25 o C - 2.0 V Conditions Max. CHARACTERISTICS - 125 oC ˚C 125 -55 Storage temperature range T stg T vj Virtual junction temperature Forward (conducting) - 125 oC 10ms half sine; T j = 125 oC Nm 3.8 3.2 Mounting torque - Reverse (blocking) I F = 1A, diRR/dt = 25A/µs, Tcase = 25˚C, V R = 100V I F = 50A, diRR/dt = 50A/µs, Tcase = 25˚C, V R = 100V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |