2SC5369 datasheet(1/12 Pages) NEC

tên linh kiện	2SC5369

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION

PDF	12 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	NEC [NEC]

Trang chủ	http://www.nec.com/

Logo

1 / 12 page

2SC5369

SILICON TRANSISTOR

Document No. P11644EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 1996 P

Printed in Japan

FEATURES

• High fT

14 GHz TYP.

• High gain

| S21e | 2 = 14 dB TYP.

@f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA

• NF = 1.3 dB, @f = 2 GHz, VCE= 3 V, IC = 3 mA

• 6-pin small mini mold package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25

°C)

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

Collector to Base Voltage

VCBO

9V

Collector to Emitter Voltage

VCEO

6V

Emitter to Base Voltage

VEBO

2V

Collector Current

IC

30

mA

Total Power Dissipation

PT

150

mW

Junction Temperature

TI

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–65 to +150

°C

PACKAGE DIMENSION (in mm)

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

4. Emitter

2. Emitter

5. Emitter

3. Base

6. Collector

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR

MICROWAVE AMPLIFICATION

©

1996

PRELIMINARY DATA SHEET

2.1±0.1

1.25±0.1

Số phần tương tự - 2SC5369

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Renesas Technology Corp	2SC5369	294Kb / 14P	SILICON TRANSISTOR 1996

More results

Mô tả tương tự - 2SC5369

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NEC	2SC3587	91Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
	2SC3603	89Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
	2SC3604	94Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
	2SC5408	50Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	2SC5409	39Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	NE698M01	60Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
	NE699M01	50Kb / 6P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
New Jersey Semi-Conduct...	2SC3604	198Kb / 2P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NE68719	189Kb / 5P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
eleflow technologies co...	2SC3603	222Kb / 4P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

More results

2SC5369 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - NEC

2SC5369 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - NEC

Số phần tương tự - 2SC5369

Mô tả tương tự - 2SC5369

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

bảng dữ liệu tải về

Link URL