2SC4225 datasheet(1/8 Pages) NEC

tên linh kiện	2SC4225

Giải thích chi tiết về linh kiện	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD

PDF	8 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	NEC [NEC]

Trang chủ	http://www.nec.com/

Logo

1 / 8 page

©

1996

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4225

DESCRIPTION

The 2SC4225 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low

noise amplifier at VHF through UHF band.

It has large dynamic range and good current characteristics.

FEATURES

•

Low Noise and High Gain

NF = 1.5 dB TYP.

at VCE = 10 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz

S21e 2 = 10 dB TYP. at VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

(reference value)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

VCB0

25

V

Collector to Emitter Voltage

VCE0

12

V

Emitter to Base Voltage

VEB0

3.0

V

Collector Current

IC

70

mA

Total Power Dissipation

PT

160

mW

Junction Temperature

Tj

150

˚C

Storage Temperature

Tstg

–65 to +150

˚C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

Characteristics

Symbol

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Test Conditions

Collector Cutoff Current

ICB0

1.0

µAVCB = 10 V, IE = 0

Emitter Cutoff Current

IEB0

1.0

µAVEB = 2 V, IC = 0

DC Current Gain

hFE

40

80

200

VCE = 3 V, IC = 20 mA, pulsed

Gain Bandwidth Product

fT

4

GHz

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

Output Capacitance

Cob

1.2

1.8

pF

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

Insertion Power Gain

S21e 2

7.5

9.0

dB

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

Noise Figure

NF

1.5

3.0

dB

VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 1GHz

hFE Classifications

Rank

R2

R3

Marking

R2

R3

hFE

40 to 120

100 to 200

Document No. P11192EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published February 1996 P

Printed in Japan

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

2

1

3

Marking

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Số phần tương tự - 2SC4225

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Renesas Technology Corp	2SC4225	178Kb / 10P	SILICON TRANSISTOR 1996

More results

Mô tả tương tự - 2SC4225

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NEC	2SC4093	70Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
	2SC4094	102Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
	2SC4095	107Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
	2SC4187	43Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
	2SC4958	46Kb / 6P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
	2SC4959	47Kb / 6P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
	2SC5192	68Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
	2SC5193	65Kb / 12P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SC4094	323Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SC4095	329Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

More results

2SC4225 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - NEC

2SC4225 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - NEC

Số phần tương tự - 2SC4225

Mô tả tương tự - 2SC4225

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8

bảng dữ liệu tải về

Link URL