| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW30NM50N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STW30NM50N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 18 page ![]() STB/I/F/P/W30NM50N Electrical characteristics 5/18 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off-delay time Fall time VDD = 250 V, ID = 13.5 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 18) 23 20 115 60 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 27 108 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 27 A, VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 27 A, di/dt = 100 A/µs VDD= 100 V Tj = 25°C (see Figure 20) 480 8 33 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 27 A, di/dt = 100 A/µs VDD= 100 V Tj = 150°C (see Figure 20) 540 10 35 ns µC A Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |