| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
DS1809 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Dallas Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
DS1809 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Dallas Semiconductor |
|
5 / 8 page ![]() DS1809 101999 5 of 8 If during any pushbutton activity the STR input is activated, pushbutton operation will be suspended until the storage of EEPROM has been completed. Once complete, pushbutton inputs, if still active, will resume from the point of suspension. Command initiated storage operations will require a minimum of 4 ms to complete the storage operation. This 4 ms is measured from the rise of STR input (see Figure 5). For applications not requiring or using the nonvolatile memory feature of the DS1809, it is recommended that the STR input be connected to GND. COMMAND INITIATED WIPER STORAGE - Figure 5 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |