công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

MJE13001L-B-AB3-F-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies

tên linh kiện MJE13001L-B-AB3-F-R
Giải thích chi tiết về linh kiện  NPN SILICON POWER TRANSISTOR
PDF  3 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  UTC [Unisonic Technologies]
Trang chủ  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies

MJE13001L-B-AB3-F-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies

  MJE13001L-B-AB3-F-R Datasheet HTML 1Page - Unisonic Technologies MJE13001L-B-AB3-F-R Datasheet HTML 2Page - Unisonic Technologies MJE13001L-B-AB3-F-R Datasheet HTML 3Page - Unisonic Technologies  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 3 page
background image
MJE13001
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 3
www.unisonic.com.tw
QW-R201-055.H
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
Collector-Base Voltage
VCBO
600
V
Emitter Base Voltage
VEBO
7
V
Collector Current
IC
200
mA
Collector Power Dissipation
SOT-89
PC
550
mW
TO-92
750
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100μA, IE=0
600
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, IB=0
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=100μA, IC=0
7
V
Base-Emitter Voltage
VBE
IE=100 mA
1.1
V
Collector Cutoff Cut-Off Current
ICBO
VCB=600V, IE=0A
100
μA
Collector Emitter Cut-Off Current
ICEO
VCE=400V, IB=0
200
μA
Emitter Cutoff Cut-Off Current
IEBO
VEB=7V, IC=0A
100
μA
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
hFE1*
VCE=20 V, IC=20mA
10
70
hFE2
VCE=10V, IC=0.25mA
5
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=10mA
0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=50mA, IB=10mA
1.2
V
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
fT
IC=20mA,VCE=20V,f=1MHz
8
MHz
Resistive Load
Storage Time
tS
IC=50mA, IB1=-IB2=5mA,
VCC=45V
1.5
μs
Fall Time
tF
0.3
μs
CLASSIFICATION OF hFE1*
RANK
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
RANGE 10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-45
45-50
50-55
55-60
60-65
65-70



Html Pages

1 2 3


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com