| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFU725FN1-115 bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFU725FN1-115 bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
7 / 11 page ![]() BFU725F_N1_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 13 July 2009 7 of 11 NXP Semiconductors BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor VCE =2V; IC = 5 mA; Tamb =25 °C. VCE =2V; IC = 25 mA; Tamb =25 °C. Fig 7. Gain as a function of frequency; typical values Fig 8. Gain as a function of frequency; typical values VCE =2V; Tamb =25 °C. (1) f = 12 GHz (2) f = 5.8 GHz (3) f = 2.4 GHz (4) f = 1.8 GHz (5) f = 1.5 GHz VCE =2V; Tamb =25 °C. (1) IC =25mA (2) IC =5mA Fig 9. Minimum noise figure as a function of collector current; typical values Fig 10. Minimum noise figure as a function of frequency; typical values 001aah430 20 30 10 40 50 G (dB) 0 f (GHz) 10−2 102 10 10−1 1 MSG IS21I2 MSG Gp(max) 001aah431 20 30 10 40 50 G (dB) 0 f (GHz) 10−2 102 10 10−1 1 MSG MSG IS21I2 Gp(max) 001aah432 IC (mA) 030 20 10 0.8 1.2 0.4 1.6 2.0 NFmin (dB) 0 (3) (4) (5) (1) (2) f (GHz) 016 12 48 001aah433 0.8 1.2 0.4 1.6 2.0 NFmin (dB) 0 (1) (2) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |