IXST24N60B datasheet(1/2 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXST24N60B

Giải thích chi tiết về linh kiện	High Speed IGBT

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 2 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

CES

T

J

= 25

°C to 150°C

600

V

CGR

T

J

= 25

°C to 150°C; R

GE = 1 MΩ

600

V

GES

Continuous

±20

V

GEM

Transient

±30

V

I

C25

T

C

= 25

°C48

A

I

C90

T

C

= 90

°C24

A

I

CM

T

C

= 25

°C, 1 ms

96

A

SSOA

V

GE= 15 V, TJ = 125°C, RG = 33 Ω

I

CM = 48

A

(RBSOA)

Clamped inductive load, V

CC= 0.8 VCES

@ 0.8 V

CES

t

SC

V

GE = 15 V, VCE = 360 V, TJ = 125°C

10

µs

(SCSOA)

R

G = 33 Ω, non repetitive

P

C

T

C

= 25

°C

150

W

T

J

-55 ... +150

°C

T

JM

150

°C

T

stg

-55 ... +150

°C

M

d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

6g

Maximum lead temperature for soldering

300

°C

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Features

International standard packages

Guaranteed Short Circuit SOA

capability

Low V

CE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast Fall Time for switching speeds

up to 50 kHz

Applications

AC and DC motor speed control

Uninterruptible power supplies (UPS)

Welding

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

High power density

DS98768B(02/03)

G = Gate

E = Emitter

TAB = Collector

TO-247 AD (IXSH)

(TAB)

TO-268 (D3) ( IXST)

(TAB)

G

E

High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

V

CES

= 600 V

I

C25

=

48 A

V

CE(sat)

= 2.5 V

t

fi typ

= 170 ns

IXSH 24N60B

IXST 24N60B

IXSH 24N60BD1

IXST 24N60BD1

C

E

G

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

BV

CES

I

C

= 250

µA, V

GE = 0 V

600

V

GE(th)

I

C

= 1.5 mA, V

CE = VGE

3.5

6.5

V

I

CES

V

CE

= 0.8 • V

CES

T

J = 25°C

24N60B

25

µA

24N60BD1

200

µA

V

GE

= 0 V

T

J = 125°C

24N60B

1

mA

24N60BD1

2

mA

I

GES

V

CE

= 0 V, V

GE = ±20 V

±100 nA

V

CE(sat)

I

C

= I

C90, VGE = 15 V

2.5

V

(D1)

Số phần tương tự - IXST24N60B

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXST15N120B	58Kb / 2P	HIGH Voltage IGBT
	IXST15N120BD1	56Kb / 2P	S Series - Improved SCSOA Capability
	IXST30N60B	131Kb / 4P	High Speed IGBT
	IXST30N60BD1	119Kb / 5P	High Speed IGBT with Diode
	IXST30N60C	131Kb / 4P	High Speed IGBT

More results

Mô tả tương tự - IXST24N60B

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXSH40N60	55Kb / 2P	High Speed IGBT
	IXSH30N60B	131Kb / 4P	High Speed IGBT
	IXSH35N100A	80Kb / 4P	High speed IGBT
	IXGH17N100	69Kb / 2P	Low V IGBT High speed IGBT
	IXSP20N60B2D1	181Kb / 6P	High Speed IGBT
	IXSP24N60B	75Kb / 2P	High Speed IGBT
Vincotech	10-PY124PA080FV-L589F88Y	427Kb / 7P	High speed IGBT
Inchange Semiconductor ...	IXYH40N120	429Kb / 3P	High-Speed IGBT
Inchange Semiconductor ...	IXYN82N120	528Kb / 3P	High-Speed IGBT

More results

IXST24N60B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXST24N60B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXST24N60B

Mô tả tương tự - IXST24N60B

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL