công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

RJK4002DPP-M0 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Renesas Technology Corp

tên linh kiện RJK4002DPP-M0
Giải thích chi tiết về linh kiện  400V - 3A - MOS FET High Speed Power Switching
PDF  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Trang chủ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp

RJK4002DPP-M0 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Renesas Technology Corp

  RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp RJK4002DPP-M0 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 7 page
background image
RJK4002DPP-M0
Preliminary
R07DS0551EJ0200 Rev.2.00
Page 2 of 6
Aug 03, 2012
Electrical Characteristics
(Ta = 25
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage
V(BR)DSS
400
—
—
V
ID = 10 mA, VGS = 0
Zero gate voltage drain current
IDSS
—
—
1
A
VDS = 400 V, VGS = 0
Gate to source leak current
IGSS
—
—
0.1
A
VGS = 30 V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
3.5
—
4.5
V
VDS = 10 V, ID = 1 mA
Static drain to source on state resistance
RDS(on)
—
2.4
2.9
ID = 1.5 A, VGS = 10 V
Note 5
Input capacitance
Ciss
—
165
—
pF
Output capacitance
Coss
—
25
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
2.6
—
pF
VDS = 25 V
VGS = 0
f = 1 MHz
Turn-on delay time
td(on)
—
11
—
ns
Rise time
tr
—
12
—
ns
Turn-off delay time
td(off)
—
23
—
ns
Fall time
tf
—
20
—
ns
ID = 1.5 A
VGS = 10 V
RL = 133 
Rg = 10
Total gate charge
Qg
—
6.0
—
nC
Gate to source charge
Qgs
—
1.2
—
nC
Gate to drain charge
Qgd
—
3.4
—
nC
VDD = 320 V
VDS = 100 V
ID = 3 A
Body-drain diode forward voltage
VDF
—
0.9
1.5
V
IF = 3 A, VGS = 0
Note 5
Body-drain diode reverse recovery time
trr
—
200
—
ns
IF = 3 A, VGS = 0
VDD = 320 V
diF/dt = 100 A/s
Note:
5. Pulse test



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com