công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

STN4NF20L bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STN4NF20L
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel 200 V, 1.1 Ω, 1 A SOT-223 low gate charge STripFET™II Power MOSFET
PDF  12 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STN4NF20L bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

  STN4NF20L Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics STN4NF20L Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 12 page
background image
STN4NF20L
Electrical ratings
Doc ID 17445 Rev 2
3/12
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VGS
Gate-source voltage
± 20
V
ID
Drain current continuous TC = 25 °C
1
A
ID
Drain current continuous TC = 100 °C
0.63
A
IDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Drain current pulsed
4
A
PTOT
(2)
2.
This value is rated according to Rthj-amb
≤ 10 sec.
Total dissipation at TC = 25 °C
3.3
W
dv/dt (3)
3.
Isd
≤ 1 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ 80% V(BR)DSS.
Peak diode recovery voltage slope
20
V/ns
Tj
Tstg
Operating junction temperature
Storage temperature
- 55 to 150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-amb
(1)
1.
When mounted on 1 inch² FR-4 board, 2 oz. Cu, (t < 10 sec).
Thermal resistance junction to ambient
38
°C/W
Rthj-amb
(2)
2.
When mounted on 1 inch² FR-4 board, 2 oz. Cu, (t > 10 sec).
62.5
°C/W
Table 4.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
IAR
Avalanche current, repetetive or not repetetive(1)
1.
Pulse width limited by TJMAX.
1A
EAS
Single pulse avalanche energy (2)
2.
Starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50 V.
90
mJ



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com