| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
145N65M5 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
145N65M5 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 13 page ![]() STY145N65M5 Electrical characteristics Doc ID 023718 Rev 2 5/13 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(v) tr(v) tf(i) tc(off) Voltage delay time Voltage rise time Current fall time Crossing time VDD = 400 V, ID = 85 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 16) (see Figure 19) - 255 11 82 88 - ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 138 552 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 138 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 138 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V (see Figure 16) - 568 14.5 51 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 138 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V, Tj = 150 °C (see Figure 16) - 728 24.5 67 ns µC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |