| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE9926B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE9926B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 7 page ![]() ACE9926B Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 1 Description The ACE9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. The two devices may be used individually, in parallel or to form a bidirectional blocking switch. Features V DS (V)=20V I D=6A (VGS=4.5V) R DS(ON) <30m Ω (V GS=4.5V) R DS(ON) <40 mΩ (V GS=2.5V) Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Drain Current (Continuous) * AC TA=25 OC ID 6 A TA=70 OC 5 Drain Current (Pulse) * B IDM 24 A Power Dissipation TA=25 OC PD 2 W TA=70 OC 1.3 Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 to 150 OC Packaging Type SOP-8 |
Số phần tương tự - ACE9926B |
|
Mô tả tương tự - ACE9926B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |