| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE4953B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE4953B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 6 page ![]() ACE4953B Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 1 Description The ACE4953B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features V DS (V)=-20V I D=-5.5A (VGS=-10V) R DS(ON) <55 mΩ (V GS=-10V) R DS(ON) <58 mΩ (V GS=-4.5V) R DS(ON) <80 mΩ (V GS=-2.5V) Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Drain Current (Continuous) * AC TA=25 OC ID -5.5 A TA=70 OC -4.4 Drain Current (Pulse) * B IDM -25 A Power Dissipation TA=25 OC PD 2 W TA=70 OC 1.5 Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 to 150 OC Packaging Type SOP-8 |
Số phần tương tự - ACE4953B |
|
Mô tả tương tự - ACE4953B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |