IXTP80N10T datasheet(1/5 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXTP80N10T

Giải thích chi tiết về linh kiện	TrenchMVTM Power MOSFET

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 5 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

DSS

T

J

= 25

°C to 175°C

100

V

DGR

T

J

= 25

°C to 175°C, R

GS = 1MΩ

100

V

GSS

Continuous

± 20

V

GSM

Transient

± 30

V

I

D25

T

C = 25°C

80

A

I

DM

T

C = 25°C, Pulse Width Limited by TJM

220

A

I

A

T

C = 25°C25

A

E

AS

T

C = 25°C

400

mJ

P

D

T

C = 25°C

230

W

dV/dt

I

S

≤ I

DM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C

10

V/ns

T

J

-55 ... +175

°C

T

JM

175

°C

T

stg

-55 ... +175

°C

T

L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

T

SOLD

Plastic Body for 10s

260

°C

M

d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

2.5

g

TO-220

3.0

g

DS99648A(11/09)

IXTA80N10T

IXTP80N10T

V

DSS

=

100V

I

D25

=

80A

R

DS(on) ≤

≤≤≤≤

14m

Ω

TrenchMVTM

Power MOSFET

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

TO-263 AA (IXTA)

G D

S

TO-220AB (IXTP)

D (Tab)

G

S

D (Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV

DSS

V

GS = 0V, ID = 250μA

105

V

GS(th)

V

DS = VGS, ID = 100μA

2.5

5.0

V

I

GSS

V

GS = ± 20V, VDS = 0V

± 200 nA

I

DSS

V

DS = 105V, VGS= 0V

5

μA

T

J = 150°C

150 μA

R

DS(on)

V

GS = 10V, ID = 25A, Note 1 & 2

14 m

Ω

Features

International Standard Packages

175°C Operating Temperature

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode

Low R

DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Automotive

- Motor Drives

- DC/DC Conversion

- 42V Power Bus

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-Line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

High Current Switching Applications

Distributed Power Architechtures

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

Số phần tương tự - IXTP80N10T

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Inchange Semiconductor ...	IXTP80N10T	245Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

More results

Mô tả tương tự - IXTP80N10T

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXTP130N10T	154Kb / 5P	TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTQ200N10T	175Kb / 5P	TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTA220N055T	220Kb / 5P	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTH160N10T	192Kb / 5P	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTA160N075T	179Kb / 5P	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTA180N10T7	203Kb / 5P	PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTY44N10T	203Kb / 5P	TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTF280N055T	63Kb / 2P	TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTN200N10T	174Kb / 5P	TrenchMVTM Power MOSFET
	IXTP180N085T	219Kb / 5P	TrenchMVTM Power MOSFET

More results

IXTP80N10T bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXTP80N10T bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXTP80N10T

Mô tả tương tự - IXTP80N10T

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL