| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE5801 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE5801 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 5 page ![]() ACE5801 P-Channel Power MOSFET VER 1.2 1 Description The ACE5801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltage. . This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. Features Advanced trench MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge Applications PWM application Load switch Battery charge in cellular handset Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -12 V Gate-Source Voltage VGSS ±8 V Drain Current-Continuous ID -16 A Drain Current-Pulsed (note 1) IDM -65 Power Dissipation (note 2, TA=25℃) PD 2.5 W Maximum Power Dissipation (note 3, TC=25℃) 18 Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 4) RθJA 50 ℃/W Thermal Resistance from Junction to case (note 4) RθJC 6.9 Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~150 Packaging Type DFNWB2*2-6L |
Số phần tương tự - ACE5801 |
|
Mô tả tương tự - ACE5801 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |