| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
APT6030BN bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Comset Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
APT6030BN bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Comset Semiconductor |
|
1 / 4 page ![]() APT6030BN 22/10/2012 COMSET SEMICONDUCTORS 1/4 SEMICONDUCTORS N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS TRANSISTORS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VDS Drain-Source Voltage 600 V IDS Continuous Drain Current TC= 37°C 23 A IDM Pulsed Drain Current TC= 25°C 92 VGS Gate-Source Voltage 30 V RDS(on) Drain-Source on Resistance 0.30 Ω PT Total Power Dissipation @ TC= 25°C 360 W Linear Derating Factor 2.9 W/°C tJ Operating Temperature -55 to +150 °C tstg Storage Temperature range -55 to +150 THERMAL CHARACTERISTICS Symbol Ratings Value Unit RthJC Thermal Resistance, junction-case 0.34 °C/W RthJA Thermal Resistance, junction-ambient 40 FEATURE N channel in a plastic TO-3PML package. Compliance to RoHS. |
Số phần tương tự - APT6030BN |
|
Mô tả tương tự - APT6030BN |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |