| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SSM5H06FE bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM5H06FE bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
4 / 8 page ![]() SSM5H06FE 2007-11-01 4 Schottky Diode Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit VF (1) IF = 1mA ⎯ 0.18 ⎯ V VF (2) IF = 5mA ⎯ 0.23 0.30 V Forward voltage VF (3) IF = 100mA ⎯ 0.35 0.50 V Reverse current IR VR = 12 V ⎯ ⎯ 22 μA Total capacitance CT VR = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 20 40 pF Precaution The schottky barrier diodes of this product have large-reverse-current-leakage characteristics compared to other switching diodes. This current leakage and improper operating temperature or voltage may cause thermal runaway resulting in breakdown. Take forward and reverse loss into consideration in radiation design and safety design. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |