| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UTT25P06G-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTT25P06G-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 3 page ![]() UTT25P06 Preliminary Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 3 www.unisonic.com.tw QW-R502-595.a ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ=25°C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Drain-Source Voltage VDSS -60 V Continuous VGS ±15 V Gate-Source Voltage Non−Repetitive (tP≤10ms) VGSM ±20 V Continuous @ TA=25°C ID 27.5 A Drain Current Pulsed (tP≤10µs) IDM 80 A Power Dissipation @TA=25°C PD 120 W Avalanche Energy (VDD=25V, VGS=10V, IL(PK)=20A, L=3mH, RG=25Ω) EAS 600 mJ Junction Temperature TJ +175 °C Storage Temperature TSTG -55~+175 °C Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. When surface mounted to an FR4 board using 1" pad size (Cu Area 1.127 in 2). 3. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended pad size (Cu Area 0.412 in 2). THERMAL CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT 46.8 (Note 2) Junction to Ambient θJA 63.2 (Note 3) °C/W Junction to Case θJC 1.25 °C/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |