| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
DTC113TG-AN3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
DTC113TG-AN3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 3 page ![]() DTC113T NPN SILICON TRANSISTOR UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 3 www.unisonic.com.tw QW-R223-001.B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector to Base Voltage VCBO 50 V Emitter to Base Voltage VEBO 6 V Collector to Emitter voltage VCEO 50 V Collector Current IC 100 mA Peak Collector Current ICM 200 mA Collector Power Dissipation SOT-23/SOT-323 PC 200 mW SOT-523 150 Junction Temperature TJ +150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 ) ℃ PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=100μA, RBE=∞ 50 V Collector Cut-off Current ICBO VCB=50V, IE=0 0.1 μA DC Current Gain hFE VCE=5V, IC=1mA 100 Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=10mA, IB=0.5mA 0.3 V Input Resistance R1 0.7 1.0 1.3 kΩ Current Gain Bandwidth Product fT VCE=6V, IE=-10mA 200 MHz |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |