| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UTD413 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTD413 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 4 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD413 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 4 Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-246.C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD413 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using UTC’s advanced trench technology. The UTD413 is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance of the TO-252 package. Standard Product UTD413 is Pb-free. FEATURES * RDS(ON) < 45mΩ @VGS = -10V * RDS(ON) < 69mΩ @VGS = -4.5V * Low capacitance * Low gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 1.Gate 3.Source 2.Drain ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 UTD413L-TN3-R UTD413G-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel UTD413L-TN3-T UTD413G-TN3-T TO-252 G D S Tube |
Số phần tương tự - UTD413 |
|
Mô tả tương tự - UTD413 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |