| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UT2312G-AE3-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UT2312G-AE3-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 3 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2312 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 3 Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-205.D 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UT2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 33 mΩ @VGS = 4.5 V * RDS(ON) = 40 mΩ @VGS = 2.5 V * Advanced trench process technology * Excellent thermal and electrical capabilities * High density cell design for ultra low on-resistance SYMBOL 2.Gate 1.Source 3.Drain ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Lead Free Halogen Free Package 1 2 3 Packing UT2312L-AE3-R UT2312G-AE3-R SOT-23 S G D Tape Reel MARKING 23N L: Lead Free G: Halogen Free |
Số phần tương tự - UT2312G-AE3-R |
|
Mô tả tương tự - UT2312G-AE3-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |