| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
DTA113TL-AE3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
DTA113TL-AE3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 3 page ![]() DTA113T PNP SILICON TRANSISTOR UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 3 www.unisonic.com.tw QW-R206-091.C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -100 mA Peak Collector Current ICM -200 mA Collector Power Dissipation PC 150 mW Junction Temperature TJ 150 °C Storage Temperature TSTG -55~+150 °C Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=-100μA, RBE=∞ -50 V Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=-10mA, IB=-0.5mA -0.3 V Collector Cut-off Current ICBO VCB=-50V, IE=0 -0.1 μA DC Current Gain hFE VCE=-5V, IC=-1mA 100 Input Resistance RIN 0.7 1.0 1.3 kΩ Current Gain Bandwidth Product fT VCE=-6V, IE=10mA 150 MHz |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |