| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UP2003-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UP2003-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 5 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP2003 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 5 Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-202.B P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UP2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * VDS(V)=-25V * ID=-9 A * RDS(ON)<35 mΩ@ VGS =-4.5 V, ID =-7 A * RDS(ON)<20 mΩ@ VGS =-10 V, ID =-9 A SYMBOL 1.Gate 3.Source 2.Drain *Pb-free plating product number: UP2003L ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Normal Lead Free Plating Package 1 2 3 Packing UP2003-TN3-R UP2003L-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel UP2003-TN3-T UP2003L-TN3-T TO-252 G D S Tube |
Số phần tương tự - UP2003-TN3-R |
|
Mô tả tương tự - UP2003-TN3-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |