| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
10N60L-TQ2-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
10N60L-TQ2-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 8 page ![]() 10N60 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 8 www.unisonic.com.tw QW-R502-119.J ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT SWITCHING CHARACTERISTICS Turn-On Delay Time tD(ON) VDD=300V, ID =10A, RG =25Ω (Note 1, 2) 23 55 ns Turn-On Rise Time tR 69 150 ns Turn-Off Delay Time tD(OFF) 144 300 ns Turn-Off Fall Time tF 77 165 ns Total Gate Charge QG VDS=480V, ID=10A, VGS=10 V (Note 1, 2) 44 57 nC Gate-Source Charge QGS 6.7 nC Gate-Drain Charge QGD 18.5 nC DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS = 0 V, IS =10A 1.4 V Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS 10 A Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM 38 A Reverse Recovery Time trr VGS = 0 V, IS = 10A, dIF / dt = 100 A/µs (Note 1) 420 ns Reverse Recovery Charge QRR 4.2 µC Notes: 1. Pulse Test : Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤2% 2. Essentially independent of operating temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |