| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3N40L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3N40L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 6 page ![]() 3N40 Preliminary Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R502-553.c ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Drain-Source Voltage VDSS 400 V Gate-Source Voltage VGSS ±30 V Continuous (TC=25°C) ID 3 A Drain Current Pulsed (Note 2) IDM 12 A Single Pulsed (Note 3) EAS 290 mJ Avalanche Energy Repetitive (Note 2) EAR 3 mJ TO-220F 25 W Power Dissipation TO-252 50 W TO-220F 0.2 W/°C Derate above 25°C TO-252 PD 0.4 W/°C Junction Temperature TJ +150 °C Storage Temperature TSTG -55~+150 °C Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature 3. L=56mH, IAS=3.0 A, VDD=50V, RG=25 Ω, Starting TJ = 25°C THERMAL DATA PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT TO-220F 62.5 Junction to Ambient TO-252 θJA 110 °C/W TO-220F 4.9 Junction to Case TO-252 θJC 2.5 °C/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |