| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
1N65AL-T92-R bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
1N65AL-T92-R bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Unisonic Technologies |
|
7 / 8 page ![]() 1N65A Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 7 of 8 www.unisonic.com.tw QW-R502-584.B TYPICAL CHARACTERISTICS (Cont.) -100 Junction Temperature, TJ (°C) -50 50 200 VGS=0V ID=250μA 100 150 1.2 Breakdown Voltage vs. Temperature 0 1.1 1.0 0.9 0.8 -100 Junction Temperature, TJ (°C) -50 50 200 VGS=10V ID=0.5A 100 150 3.0 On-Resistance vs. Temperature 0 2.0 1.0 0.5 0.0 1.5 2.5 101 10-1 10-2 Drain-Source Voltage, VDS (V) Max. Safe Operating Area 102 1ms 101 100 100μs 10ms 100 103 Operation in This Area is Limited by RDS(on) Tc=25°C TJ=150°C Single Pulse Case Temperature, TC (°C) 75 100 150 1.0 Max. Drain Current vs. Case Temperature 0.0 125 50 25 0.5 Square Wave Pulse Duration, t1 (sec) Thermal Response 100 10-5 100 10-1 10-4 10-3 10-2 10-1 101 0.5 0.0 5 0.0 2 Single pulse 0.0 1 0.1 0.2 θJC (t) = 3.45°C/W Max. Duty Factor, D=t1/t2 TJM-TC=PDM×θJC (t) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |