| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
RJH1CF5RDPQ-80 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RJH1CF5RDPQ-80 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
2 / 7 page ![]() RJH1CF5RDPQ-80 Preliminary R07DS0355EJ0100 Rev.1.00 Page 2 of 6 May 12, 2011 Electrical Characteristics (Tj = 25°C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions Zero gate voltage collector current ICES ⎯ ⎯ 100 μA VCE = 1200 V, VGE = 0 Gate to emitter leak current IGES ⎯ ⎯ ±0.1 μA VGE = ±30 V, VCE = 0 Gate to emitter cutoff voltage VGE(off) 3.5 5.0 7.0 V VCE = 10V, IC = 1 mA ⎯ 1.95 2.4 V IC = 25 A, VGE = 15V Note2 Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ⎯ 2.4 ⎯ V IC = 50 A, VGE = 15V Note2 Input capacitance Cies ⎯ 1765 ⎯ pF Output capacitance Coes ⎯ 36 ⎯ pF Reverse transfer capacitance Cres ⎯ 28 ⎯ pF VCE = 25 V VGE = 0 V f = 1 MHz td(on) ⎯ 45 ⎯ ns tr ⎯ 57 ⎯ ns td(off) ⎯ 110 ⎯ ns Switching time tf ⎯ 272 ⎯ ns IC = 25 A VCE = 600 V, VGE = 15 V Rg = 5 Ω Note2 Resistive Load C-E diode forward voltage VF ⎯ 4.2 5.4 V IF = 10 A Note2 Notes: 2. Pulse test |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |