| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUW49 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUW49 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BUW49 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50mA; IC=0 7 V VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A; IB=0;L=25mH 80 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=40A; IB=4A 1.4 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=30A; IB=3A 1.2 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=30A; IB=3A 2.0 V ICEX Collector cut-off current VCE=rated ;VBE=-1.5V TC=125℃ 1 3 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1 mA fT Transition frequency VCE=15V,f=15MHz;IC=1A 8 Switching times : ton Turn-on time 0.8 1.2 μs ts Storage time 0.6 1.1 μs tf Fall time IC=30A; IB1=- IB2=4A VCC=80V 0.15 0.25 μs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-case Thermal resistance junction case 1 ℃/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |