| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PMD1601K bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PMD1601K bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1601K DESCRIPTION ·High DC current gain ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 60V(Min) ·Complement to type PMD1701K APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Collector Current -Continuous 20 A ICP Collector Current-Peak 40 A IB B Base Current 0.5 A PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 180 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -65~200 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c ThermalResistance, Junction to Case 0.97 ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn |
Số phần tương tự - PMD1601K |
|
Mô tả tương tự - PMD1601K |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |