| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU522B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BU522B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522B DESCRIPTION ·High Voltage ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V @ IC= 4A APPLICATIONS ·Designed for use in ignition circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCER(SUS) Collector-Emitter Voltage 425 V VCER Collector-Emitter Voltage 450 V VCBO Collector-Base Voltage 475 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 7 A IB B Base Current 2 A PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 75 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.67 ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn |
Số phần tương tự - BU522B |
|
Mô tả tương tự - BU522B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |