| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD2389 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2389 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Darlington Power Transistors 2SD2389 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO Collector-emitter breakdown voltage IC=30mA ;IB=0 150 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=6A ;IB=6mA 2.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=6A ;IB=6mA 3.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=160V IE=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 100 μA hFE DC current gain IC=6A ; VCE=4V 5000 Cob Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 85 pF fT Transition frequency IC=1A ; VCE=12V 80 MHz Switching times ton Turn-on time 0.6 μs ts Storage time 10.0 μs tf Fall time IC=6A;RL=10Ω IB1=- IB2=6mA VCC=60V 0.9 μs hFE Classifications O P Y 5000-12000 6500-20000 15000-30000 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |