| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD2015 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2015 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD2015 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ;IB=0 120 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=2mA 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=2mA 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=150V; IE=0 10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 10 mA hFE DC current gain IC=2A ; VCE=2V 2000 fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=12V 40 MHz COB Collector output capacitance f=1MHz;VCB=10V 40 pF Switching times ton Turn-on time 0.6 μs ts Storage time 5.0 μs tf Fall time IC=2.0A IB1=-IB2=10mA VCC=40V ,RL=20Ω 2.0 μs |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |