| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD1270 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1270 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1270 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA , IB=0 80 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A; IB=0.2A 0.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=0.2A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=100V; IE=0 10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 50 μA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=2V 45 hFE-2 DC current gain IC=2A ; VCE=2V 60 260 fT Transition frequency IC=0.5A;VCE=10V;f=10MHz 30 MHz Switching times ton Turn-on time 0.5 μs ts Storage time 1.5 μs tf Fall time IC=2A ;IB1=0.2A ;IB2=-0.2A VCC=50V 0.15 μs hFE-2 Classifications R Q P 60-120 90-180 130-260 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |