| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD970 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD970 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD970 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=25mA ;RBE=0 120 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50mA ; IC=0 7 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=8mA 1.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=8A ;IB=80mA 3.0 V VBEsat-1 Base-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=8mA 2.0 V VBEsat-2 Base-emitter saturation voltage IC=8A ;IB=80mA 3.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=120V; IE=0 100 μA ICEO Collector cut-off current VCE=100V; RBE=∞ 10 μA hFE DC current gain IC=4A ; VCE=3V 1000 20000 Switching times ton Turn-on time 0.4 μs ts Storage time 5.4 μs tf Fall time IC=4A ;IB1=-IB2=8mA 1.1 μs |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |