| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD649 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD649 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD649 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 10mA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 1A B 7.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 1A B 1.5 V VCB= 750V ; IE= 0 100 μA ICBO Collector Cutoff Current VCB= 1500V ; IE= 0 1 mA hFE DC Current Gain IC= 3A; VCE= 10V 4 12 tf Fall Time 1 μs tstg Storage Time IC= 3A, IBend= 1A, LB= 20μH 13 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |