| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD113 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD113 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD113 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA; RBE= ∞ 80 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50mA; IC= 0 10 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 15A; IB= 3A 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 15A; IB= 3A 2.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 50V; IE= 0 2 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 10V; IC= 0 50 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 50 300 hFE-2 DC Current Gain IC= 15A; VCE= 5V 10 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 50V; ftest= 1.0MHz 400 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 1A; VCE= 10V 1.5 MHz hFE-1 Classifications O Y 50-150 100-300 isc Website:www.iscsemi.cn |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |