| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3LN01M bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3LN01M bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
|
2 / 4 page ![]() 3LN01M No.6138-2/4 Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Turn-ON Delay Time td(on) See specified Test Circuit. 19 ns Rise Time tr See specified Test Circuit. 65 ns Turn-OFF Delay Time td(off) See specified Test Circuit. 155 ns Fall Time tf See specified Test Circuit. 120 ns Total Gate Charge Qg VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA 1.58 nC Gate-to-Source Charge Qgs VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA 0.26 nC Gate-to-Drain “Miller” Charge Qgd VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA 0.31 nC Diode Forward Voltage VSD IS=150mA, VGS=0V 0.87 1.2 V Package Dimensions Switching Time Test Circuit unit : mm 7023-010 0.65 0.65 2.0 0.9 0.6 0.3 12 3 0.3 0.15 0 to 0.1 1 : Gate 2 : Source 3 : Drain SANYO : MCP PW=10 µs D.C. ≤1% 4V 0V VIN P.G 50 Ω G S D ID=80mA RL=187.5Ω VDD=15V VOUT 3LN01M VIN Gate-to-Source Voltage, VGS -- V ID -- VGS Drain-to-Source Voltage, VDS -- V ID -- VDS 0 0 0.02 0.2 0.06 0.04 0.08 0.4 0.10 0.12 0.14 0.16 0.6 0.8 1.0 VGS=1.5V 2.0V 4.0V 3.5V 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.15 0.10 0.05 0.30 0.25 0.20 2.5 3.0 VDS=10V IT00029 IT00030 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |