| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SB757 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB757 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB757 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-0.1mA; IE=0 -40 V V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0 -40 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-0.1mA; IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A -0.8 V VBEsat Base-emitter on voltage IC=-5A; IB=-0.5A -1.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=-40V; IE=0 -10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -100 μA hFE DC current gain IC=-5A ; VCE=-2V 40 240 Switching times ton Turn-on time 1.0 μs ts Storage time 2.0 μs tf Fall time IC=-15A;IB1=-IB2=-1.5A RL=2Ω;PW=20μs,Duty≤2% 1.0 μs |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |