| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N6653 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N6653 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2N6653 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A ; IB=0 300 V V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA ; IE=0 350 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=10A; IB=2A 1.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=15A; IB=3A 1.8 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=15A; IB=3A 1.8 V ICEV Collector cut-off current VCE=350V;VBE(off)=-1.5V TC=150℃ 0.1 2.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 15 50 hFE -2 DC current gain IC=15A ; VCE=5V 10 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=10V 15 MHz |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |