| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MMBT7002K bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MMBT7002K bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
|
1 / 2 page ![]() MMBT7002K MMBT7002K N N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate N-Kanal FET mit Gateschutzdiode – Anreicherungstyp N Version 2011-02-01 Dimensions - Maße [mm] 1 = G 2 = S 3 = D Power dissipation – Verlustleistung 350 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMBT7002K Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDSS 60 V Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung dc ESD VGSS VGSS ± 20 V ± 2 kV Power dissipation – Verlustleistung Ptot 350 mW Drain current continuos – Drainstrom (dc) ID 115 mA Drain current pulsed – Drainstrom gepulst tp < 10 µs IDM 800 mA Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 150°C -55…+150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1.1 0.4 2.9 ±0.1 1 2 3 Type Code 1.9 |
Số phần tương tự - MMBT7002K |
|
Mô tả tương tự - MMBT7002K |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |