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PDMB150B12C2 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Nihon Inter Electronics Corporation |
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PDMB150B12C2 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Nihon Inter Electronics Corporation |
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1 / 3 page  日本インター株式会社 QS043-401M0060 (2/4) ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ １５０ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ２ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ Ｃ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage Ｖ ＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｖ ＧＥＳ ±２０ Ｖ ＤＣ Ｉ Ｃ １５０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＣＰ ３００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｐ Ｃ ７３０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔ ｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔ ｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｖ ＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ３（３０.６） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆ ｔｏｒ PDMB150B12C ３（３０.６） PDMB150B12C2 ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ Ｃ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent Ｉ ＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ３.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｉ ＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage Ｖ ＣＥ（ｓａｔ） Ｉ Ｃ= 150A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage Ｖ ＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃ ｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 12,600 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔ ｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔ ｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔ ｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔ ｏｆｆ Ｖ ＣＣ= 600V Ｒ L= 4Ω Ｒ G= 3.6Ω Ｖ ＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ Ｃ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ １５０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＦＭ ３００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｖ Ｆ Ｉ Ｆ= 150A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔ ｒｒ Ｉ Ｆ= 150A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 300A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.１６ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.３２ ℃／Ｗ 7(G2) 6(E2) 5(E1) 4(G1) (C1) 3 (E2) 2 (C2E1) 1 16 16 16 9 9 LABEL 2-Ø6.5 23.0 23.0 17.0 3-M5 ±0.25 12.0 12.0 12.0 11.0 11.0 80 94.0 1 2 3 7 6 5 4 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 LABEL 3-M6 108 93 ±0.25 14 14 14 11 11 4-Ø 6.5 3 2 1 7 6 5 4 24 25 25 PDMB150B12C PDMB150B12C2 |
Số phần tương tự - PDMB150B12C2 |
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Mô tả tương tự - PDMB150B12C2 |
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