công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

SSD55N03 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

tên linh kiện SSD55N03
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
PDF  4 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
Trang chủ  http://www.secosgmbh.com
Logo SECOS - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SSD55N03 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  SSD55N03 Datasheet HTML 1Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH SSD55N03 Datasheet HTML 2Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH SSD55N03 Datasheet HTML 3Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH SSD55N03 Datasheet HTML 4Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 4 page
background image
Electrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified)
o
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Static Drain-Source On-Resistance
3
3
3
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Td(ON)
Td(Off)
Tr
Ciss
Coss
Tf
16.8
6
4.9
15.1
4
45.2
7.6
2326
331
174
nC
nS
pF
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
VGS=0V
VDS=25V
f=1.0MHz
VDD=15V
ID=28A
VGS=10V
RG=3.3
RD=0.53
Ω
Ω
ID=28A
VDS=20V
VGS=5V
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
IDSS
1
25
6
9
uA
uA
m
30
Drain-Source Leakage Current (Tj=25 )
Drain-Source Leakage Current(Tj=150 )
Ω
VGS=10V, ID=30A
VGS=4.5V, ID=30A
VDS=25V,VGS=0
VDS=20V,VGS=0
_
_
_
_
_
_
Forward Transconductance
Gfs
S
VDS=10V, ID=28A
_
_
oC
oC
RDS(ON)
4.5
7
BVDSS
BVDS/ Tj
25
0.037
1.0
3.0
100
±
V
V/
Reference to 25C, ID=1mA
o
oC
V
nA
Parameter
Symbol
Max.
Typ.
Test Condition
Min.
Unit
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage Current
VGS(th)
IGSS
VGS=0V, ID=250uA
VGS= 20V
±
VDS=VGS, ID=250uA
_
_
_
_
_
_
_
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Max.
Typ.
Test Condition
Min.
Unit
Forward On Voltage3
Continuous Source Current(Body Diode)
IS
_
A
VD=VG=0V,VS=1.5 V
55
0
VSD
_
_
IS=2 A, VGS=0V,Tj=25 C
V
1.5
_
o
Notes:
3.
Pulse width limited by safe operating area.
Pulse width 300us, dutycycle 2%.
≦
≦
1.
2.Staring Tj=25 C,VDD=25V,L=0.1mH,RG=25 ,IAS=10A
o
Ω
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changing of specification will not be informed individual
01-Jun-2002 Rev. A
Page 2 of 4
Elektronische Bauelemente
SSD55N03
55A, 25V,RDS(ON)6m
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Ω



Html Pages

1 2 3 4


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com